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报道：三星将为英伟达 NVHBM 基础裸片采用台积电 3nm 工艺
《首尔经济日报》称，三星接受了英伟达对定制 HBM 共用基础裸片的要求。英伟达确认了架构，但量产日期、出货量和合同条款尚未披露。
《首尔经济日报》10月18日报道，三星电子将为英伟达 NVHBM 的定制逻辑基础裸片采用台积电 3 纳米工艺，而堆叠的 DRAM 核心裸片仍由三星制造。英伟达已确认 NVHBM 会把定制控制器移入基础裸片，但三家公司尚未联合宣布这项据报的晶圆代工安排。
10月18日的报道说了什么
《首尔经济日报》称，三星接受了英伟达的要求：NVHBM 基础裸片使用台积电 3nm 工艺，堆叠核心裸片则采用三星第六代 1c DRAM。该报称这是三星与台积电首次在 HBM 制造环节合作。路透社随后转述了这篇报道，但其信息源仍是《首尔经济日报》，因此不能算第二个独立确认。
基础裸片为何是 NVHBM 的关键
英伟达官方说明称，NVHBM 把定制内存控制器放入内存堆叠下方的逻辑基础裸片。英伟达宣称该设计最高可提升30%带宽、降低15% HBM 功耗，并为加速器释放最多25%的面积。这些是公司对架构的表述，不是独立测试结果，也不是已确认的三星出货规格。
共用设计改变认证方式，不改变内存制造归属
英伟达称，其基础裸片实现会在多家内存供应商之间标准化。共用设计可减少控制器层面逐家供应商的认证工作，但不等于台积电会制造三星的 DRAM 核心裸片。按报道中的配置，三星仍是内存供应商，台积电负责定制逻辑基础裸片。
三星的自有代工路线并未消失
10月18日的报道说，三星仍会为标准 HBM 以及面向其他客户的定制 HBM 使用自有晶圆代工厂。TrendForce 10月9日曾独立描述双轨策略：三星可依据客户要求，将自家核心裸片搭配三星代工或台积电制造的基础裸片。最新报道只是把这一广义策略具体化为英伟达要求的配置。
量产前仍有哪些未知数
三星、台积电和英伟达尚未发布包含量产时间、出货量、价格或合同金额的三方联合公告。《首尔经济日报》还称，若台积电产能不足，三星正在评估自有代工备选方案。在公司文件、产品规格或量产通知出现前，最稳妥的结论是：这是与已知 NVHBM 架构相符的据报采购决定，并非已确认的出货时间表。
