기술 · 뉴스 해설
삼성, 엔비디아 NVHBM 베이스 다이에 TSMC 3나노 적용 보도
서울경제는 삼성이 맞춤형 HBM 공통 베이스 다이에 관한 엔비디아 요구를 수용했다고 보도했다. 엔비디아는 구조를 확인했지만 양산 시점, 출하량, 계약 조건은 공개되지 않았다.
삼성전자가 엔비디아 NVHBM의 맞춤형 로직 베이스 다이에 TSMC 3나노 공정을 사용하고 적층 DRAM 코어 다이는 계속 직접 생산할 것이라고 서울경제가 10월 18일 보도했다. 엔비디아는 NVHBM이 맞춤형 컨트롤러를 베이스 다이로 옮기는 구조라고 확인했지만, 세 회사는 보도된 파운드리 구성을 공동 발표하지 않았다.
10월 18일 보도의 핵심
서울경제는 삼성이 엔비디아 요구를 수용해 NVHBM 베이스 다이를 TSMC 3나노로 만들고, 적층 코어 다이에는 삼성 6세대 1c DRAM을 쓴다고 보도했다. 이 매체는 HBM 제조 단계에서 삼성과 TSMC가 협력하는 첫 사례라고 설명했다. 로이터도 이를 전했지만 출처가 서울경제이므로 별도의 독립 확인으로 계산할 수 없다.
NVHBM에서 베이스 다이가 중요한 이유
엔비디아 공식 설명에 따르면 NVHBM은 맞춤형 메모리 컨트롤러를 메모리 스택 아래의 로직 베이스 다이에 둔다. 엔비디아는 최대 30% 높은 대역폭, 15% 낮은 HBM 전력, 가속기 면적 최대 25% 확보를 주장한다. 이는 회사가 제시한 구조상 수치이며 독립 제품 시험이나 확정된 삼성 출하 사양이 아니다.
공통 설계는 인증을 바꾸지만 메모리 제조사를 바꾸지 않는다
엔비디아는 베이스 다이 구현을 여러 메모리 공급업체에 걸쳐 표준화한다고 설명한다. 공통 설계는 컨트롤러 층의 공급업체별 인증을 줄일 수 있지만 TSMC가 삼성 DRAM 코어 다이를 만든다는 뜻은 아니다. 보도된 구성에서는 삼성이 메모리를 공급하고 TSMC가 맞춤형 로직 베이스 다이를 생산한다.
삼성 자체 파운드리 경로는 사라지지 않는다
10월 18일 보도는 삼성이 표준 HBM과 다른 고객용 맞춤형 HBM에는 자체 파운드리를 계속 사용할 것이라고 전했다. TrendForce는 10월 9일 고객 요구에 따라 삼성 코어 다이에 Samsung Foundry 또는 TSMC 베이스 다이를 결합하는 투트랙 전략을 독립적으로 설명했다. 새 보도는 그 넓은 전략을 엔비디아 요청 구성으로 좁힌 것이다.
양산 전에 아직 확인되지 않은 사항
삼성, TSMC, 엔비디아는 양산 시작, 출하량, 가격, 계약 규모가 담긴 공동 발표를 내지 않았다. 서울경제는 TSMC 생산 능력이 부족할 경우 삼성도 자체 파운드리 대안을 검토 중이라고 전했다. 기업 공시, 제품 사양, 양산 통지가 나오기 전까지는 알려진 NVHBM 구조와 부합하는 소싱 결정 보도이지 확정된 출하 일정은 아니다.
