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サムスン、NVIDIA向けNVHBMのベースダイにTSMCの3nm採用へ＝報道
ソウル経済新聞は、サムスンがカスタムHBMの共通ベースダイに関するNVIDIAの要件を受け入れたと報じた。NVIDIAは構造を確認しているが、量産時期、出荷量、契約条件は未公表だ。
サムスン電子はNVIDIAのNVHBM向けカスタム・ロジック・ベースダイにTSMCの3ナノメートル製造プロセスを使い、積層DRAMコアダイは引き続き自社で製造すると、ソウル経済新聞が10月18日に報じた。NVIDIAはカスタム制御回路をベースダイへ移すNVHBM構造を確認しているが、3社はこのファウンドリー配置を共同発表していない。
10月18日の報道内容
ソウル経済新聞は、サムスンがNVIDIAの要件を受け入れ、NVHBMのベースダイをTSMCの3nmで製造し、積層コアダイにはサムスンの第6世代1c DRAMを使うと報じた。同紙はHBM製造段階で両社が協力する初の事例としている。ロイターも伝えたが、情報源は同紙であり、独立した二つ目の確認ではない。
NVHBMでベースダイが重要な理由
NVIDIAの公式説明では、NVHBMはカスタム・メモリー制御回路をメモリースタック下部のロジック・ベースダイに置く。NVIDIAは帯域幅が最大30%増え、HBM消費電力が15%下がり、アクセラレーターの面積を最大25%確保できるとする。ただし、これは会社による構造上の主張で、独立試験やサムスン製品の確定仕様ではない。
共通設計は認証を変えるが、メモリーの製造者は変えない
NVIDIAはベースダイ実装を複数のメモリーベンダー間で標準化すると説明する。共通設計は制御回路層のベンダー別認証を減らし得るが、TSMCがサムスンのDRAMコアダイを作るという意味ではない。報道された構成では、サムスンがメモリーを供給し、TSMCがカスタム・ロジック・ベースダイを製造する。
サムスンの内製経路は残る
10月18日の報道によると、標準HBMと他の顧客向けカスタムHBMでは、サムスンは自社ファウンドリーを使い続ける。TrendForceは10月9日、顧客要件に応じてサムスン製コアダイとSamsung FoundryまたはTSMC製ベースダイを組み合わせる二本立て戦略を独自に伝えていた。新報道はその戦略をNVIDIA向け構成に絞ったものだ。
量産前に未確認の点
サムスン、TSMC、NVIDIAは、量産開始、出荷量、価格、契約額を含む共同発表を出していない。ソウル経済新聞は、TSMCの生産能力が不足する場合に備え、サムスンが内製の代替策も検討していると報じる。企業文書や製品仕様、量産通知が出るまでは、既知のNVHBM構造に沿う調達判断の報道であり、確定した出荷計画ではない。
